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半导体技术杂志
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半导体技术杂志

北大期刊

  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司
  • 国际刊号:1003-353X
  • 国内刊号:13-1109/TN
  • 影响因子:0.340
  • 创刊:1976年
  • 周期:月刊
  • 发行:河北
  • 语言:中文
  • 邮发:18-65
  • 全年订价:¥408.00元
期刊收录 期刊荣誉 期刊标签
  • 维普收录(中) 上海图书馆馆藏 Pж(AJ) 文摘杂志(俄) SA 科学文摘(英) 北大期刊(中国人文社会科学期刊) CA 化学文摘(美) 万方收录(中) 知网收录(中) 国家图书馆馆藏 JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) 剑桥科学文摘
  • 中国优秀期刊遴选数据库 中国科技期刊优秀期刊 中国期刊全文数据库(CJFD) Caj-cd规范获奖期刊
  • 信息科技,无线电电子学
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相关期刊
产品参数:
主管单位:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司
出版地方:河北
期刊标签:信息科技,无线电电子学
国际刊号:1003-353X
国内刊号:13-1109/TN
邮发代号:18-65
创刊时间:1976
发行周期:月刊

半导体技术杂志简介

《半导体技术》(CN:13-1109/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

《半导体技术》以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊,美国ProQuest数据库收录期刊。

栏目设置

趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术

杂志收录/荣誉

维普收录(中) 上海图书馆馆藏 Pж(AJ) 文摘杂志(俄) SA 科学文摘(英) 北大期刊(中国人文社会科学期刊) CA 化学文摘(美) 万方收录(中) 知网收录(中) 国家图书馆馆藏 JST 日本科学技术振兴机构数据库(日) 统计源期刊(中国科技论文优秀期刊) 剑桥科学文摘 中国优秀期刊遴选数据库 中国科技期刊优秀期刊 中国期刊全文数据库(CJFD) Caj-cd规范获奖期刊

半导体技术杂志投稿要求

1.注释一律采用脚注,且须标明相应的作者、篇名、出版社(或杂志名)、年份(或年期)及页码。

2.引文标注采用文后注形式,采用[1][2][3]……的形式统一编码。文献征引请使用参考文献标准格式。

3.表格全部采用三线表,插图中的文字采用小5号宋体加粗,每张插图的宽度不要超过200px,一律用Word文档制作。

4.正文标题:内容应简洁、明了,层次不宜过多,层次序号为一、(一)、1、(1),层次少时可依次选序号。

5.作者切忌一稿多投,3个月内未收到我刊任何回复,即可将稿件另行处理。无论文章采用与否,均不予退稿,请作者自留底稿。

杂志分析报告

年度被引次数报告 (学术成果产出及被引变化趋势)

年度期刊评价报告 (本刊综合数据对比及走势)
名词解释:

影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数

被引半衰期:衡量期刊老化速度快慢的一种指标,指某一期刊论文在某年被引用的全部次数中,较新的一半被引论文刊载的时间跨度

期刊他引率:期刊被他刊引用的次数占该刊总被引次数的比例用以测度某期刊学术交流的广度、专业面的宽窄以及学科的交叉程度

引用半衰期:指某种期刊在某年中所引用的全部参考文献中较新的一半是在近期多少年时段内刊载的

平均引文率:在给定的时间内,期刊篇均参考文献量,用以测度期刊的平均引文水平,考察期刊吸收信息的能力以及科学交流程度的高低

杂志文章摘录

  • 用于相控阵雷达的X波段SiGe低噪声放大器

    基于SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一款用于有源相控阵雷达的X波段低噪声放大器(LNA)。采用Cascode结构,有效扩展了放大器带宽,提高了放大器增益。使用噪声匹配与功率匹配一体化设计方法,实现了噪声与功率的同时匹配。同时加入了温度补偿偏置电路,降低了LNA高低温增益变化。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行设计仿真和流片,测试结果表明,该LNA最高...

    作者:刘德志; 王绍权; 王鑫; 马琳 刊期: 2019年第02期

  • 卫星通信系统CMOS分数分频频率综合器设计

    基于CMOS工艺,设计了一款可用于无线卫星通信系统的低相噪、低杂散、24 bit分数分频频率综合器。频率综合器内部集成LC压控振荡器(VCO),通过自动增益控制电路调整VCO输出频率,采用电荷泵偏移电流线性化技术及Δ-Σ调制器加抖动技术改善相位噪声和杂散性能。在整数模式和分数模式下,带内相位噪声分别为-106.2 dBc/Hz和-99.7 dBc/Hz。VCO的输出频率...

    作者:曲韩宾; 谷江; 丁理想; 高博; 张晓朋; 耿双利; 吴兰 刊期: 2019年第02期

  • 26GHz Doherty MMIC功率放大器的研制

    研制了一款可应用于新一代宽带无线移动通信系统的26 GHz GaN单片微波集成电路(MMIC) Doherty功率放大器(DPA)。Doherty功率放大器的输入匹配网络中采用兰格耦合器进行载波功率放大器和峰值功率放大器功率合成及90°相位补偿,输出网络中采用相位补偿线和阻抗变换电路,提高了放大器的线性度和效率。采用SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)...

    作者:董毅敏; 蔡道民; 高学邦; 邬佳晟; 汪江涛; 谭仁超 刊期: 2019年第02期

  • 基于0.18μm BiCMOS工艺的25Gbit/s光接收机前端电路设计

    采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一款传输速率为25 Gbit/s的高速光接收机前端电路。前端电路主要包括跨阻放大器(TIA)、限幅放大器(LA)、直流偏移消除电路和输出缓冲级4部分。跨阻放大器采用了伪差分结构,相比于传统的单端转差分电路,减少了共模噪声,增强了电路的稳定性。限幅放大器采用了Cherry-Hooper结构,利用射极跟随器作为反馈通...

    作者:李硕; 何进; 陈婷; 薛喆; 王豪; 常胜; 黄启俊; 魏恒 刊期: 2019年第02期

  • 超宽禁带半导体Ga2O3微电子学研究进展(续)

    4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而...

    作者:赵正平 刊期: 2019年第02期

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网友反馈(不代表本站观点)

嘟噜噜~** 的反馈:

退修了三四次,基本都是格式和缩减字数,可能文章比较符合期刊主题。样刊是平邮,大家一定要写好自己的详细地址,越细越好流泪

明哥** 的反馈:

等得好心急哟,编辑大哥大姐们,能不能快点审下我的稿子

steven0281** 的反馈:

感觉还是挺难投的,不过编辑老师挺好的。去年八月份投了一篇文章,修改后录用了,今年投了篇,个人感觉比上一次写的好,却退稿了,可能这就是命吧

baiqian** 的反馈:

半导体技术杂志编辑的态度非常认真、和蔼,来回修改了好几次,很快就录用了。国内的顶级杂志,影响力很大,看来我的选择还是没有错的。给你们竖个大拇指。

江东宇** 的反馈:

请问半导体技术杂志投稿时需要附单位介绍信吗?

flytoyou** 的反馈:

退得挺快,挺好的[流泪]

rahimajoke** 的反馈:

你好,请问半导体技术杂志字数要求最高包括参考文献是多少字呢?是不加参考文献6000字以内呢?还是加上参考文献6000字以内呢?

haiyu** 的反馈:

半导体技术杂志校稿认真负责,每次打电话都不厌其烦地回答我的不解之处。外审专家的审稿意见也很诚恳详细,对文章帮助很大!杂志质量还是挺不错的。

小小小硕** 的反馈:

五天了还是已发回执状态 什么情况?有人知道么

迷途风雨** 的反馈:

半导体技术杂志审稿较快,14天左右就发回退修,退修之后10天左右再次退修,我吸取上一篇投稿的教训(退修了两次仍未达到要求,退稿了),仔细按照编辑发来的要求修改,顺便提一下,编辑人很好,修改之后很快录用,9个月之后见刊。